研發中心，位于瑞士蘭茲伯格。技術研發團隊，由來自歐洲及國內頂級IGBT、SiC設計和制造各個環節的技術專家，在功率半導體領域擁有優秀業績和幾十年實踐經驗的行業領導者組成。
制造中心，位于中國浙江省嘉善縣。制造中心的一期項目占地2.2萬平米，二期項目占地5萬平米，規劃建設多條具有國際一流水平的全自動智能IGBT、SiC生產線，以及國內技術中心。
賽晶半導體擁有國內稀缺、國際領先的自主芯片技術。芯片產品采用賽晶精細溝槽柵技術、微溝槽柵技術以及碳化硅(SiC)技術，IGBTc產品涵蓋中壓1050V、1200V、1700V；SiC產品電壓范圍涵蓋650V、1200V、1700V和2000V;另外，低壓MOS擁有豐富的產品系列，包括ComplementaryN+P、Dual NMOS、SGT LVMOS、SJ MOS和Trench LVMOS。
