賽晶擁有國內稀缺、國際領先的自主芯片技術。芯片產品采用賽晶精細溝槽技術、微溝槽技術以及碳化硅 (SiC) 技術，涵蓋中壓750V、1200V、1700V 三大電壓平臺。

旗下IGBT、SiC模塊產品包括：ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、BEVD封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊、FP封裝IGBT模塊、TF封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC、IGBT模塊，廣泛應用于輸配電、新能源、儲能、交通、工業等領域。

我們的技術研發團隊，由來自歐洲及國內在功率半導體領域擁有優秀業績，及幾十年實踐經驗的行業領導者組成。

我們的技術研發團隊，由來自歐洲及國內頂級IGBT、SiC設計和制造等各個環節的技術專家，及在功率半導體領域擁有優秀業績和幾十年實踐經驗的行業領導者組成。