3月26日，2025上海汽車動力系統(tǒng)技術展覽會在上海舉辦。作為從研發(fā)到應用落地的橫跨汽車產業(yè)鏈上下游的專業(yè)展示平臺，ATC 2025汽車動力、熱管理、測試展匯聚400+國內外汽車總成、零部件行業(yè)頭部企業(yè)，數萬專業(yè)觀眾共聚現(xiàn)場，共話新能源汽車行業(yè)未來發(fā)展趨勢。

賽晶科技作為新能源產業(yè)鏈核心器件和創(chuàng)新技術型企業(yè)，攜自主研發(fā)IGBT、SiC芯片及模塊亮相并發(fā)表主題報告。

本次大會上，賽晶半導體技術支持兼市場總監(jiān)馬先奎就《高可靠性SiC/Si芯片及其在車規(guī)級功率模塊》為主題發(fā)表演講，與會者反響熱烈。

賽晶SiC MOSFET芯片，采用多項行業(yè)領先的特色設計和工藝，具有高速開關、超低導通電阻，以及高可靠性和良好的溫度特性。

賽晶科技SiC MOSFET芯片

不僅如此，源于出色的設計和工藝，賽晶SiC MOSFET芯片在高溫工作條件下，展現(xiàn)出了極佳的靜態(tài)和動態(tài)特性，并且達到了行業(yè)一流水平的1200V/13mΩ@25度(24mΩ@175度)。此外，我們還研發(fā)出了1400V/17mΩ產品，以適應更高電驅1000V平臺的發(fā)展需求。

此外，采用此SiC MOSFET芯片，賽晶還推出了多規(guī)格、型號的車規(guī)級、高性能HEEV封裝、EVD封裝SiC模塊。

HEEV封裝SiC模塊具有低雜感、體積小等特點，采用壓注封裝且一改經典串聯(lián)水冷模式采用并聯(lián)無底板設計大大提高了其散熱效率，能夠將SiC芯片的性能得到更充分的發(fā)揮，助力客戶實現(xiàn)高達250kW最緊湊電驅的實現(xiàn)。

EVD封裝SiC模塊通過優(yōu)化內部布局，采用創(chuàng)新的針腳封裝和工藝設計，賽晶模塊MOSFET導通電阻降低10%~30%、封裝阻抗降低約1/3。EVD封裝產品有Si和SiC兩種類型，該產品可以讓客戶能夠最大可能的借鑒既有Si產品的系統(tǒng)設計，同時可以有靈活的商務供應。

同期展會上，賽晶展出的i20 IGBT芯片、SiC芯片，以及針對電動汽車開發(fā)的高可靠性HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝SiC模塊、BEVD封裝IGBT模塊。此外，還帶來工業(yè)應用產品“ED封裝IGBT模塊、ST封裝IGBT模塊、EP封裝IGBT模塊和FP封裝IGBT模塊”，受到了與會技術專家和客戶的高度關注，吸引眾多國內外與會者、現(xiàn)場嘉賓的高度關注和深入交流。

隨著科技的飛速發(fā)展和全球環(huán)保意識的不斷增強，新能源汽車市場正以前所未有的速度演進。賽晶科技憑借國際一流的技術水平和卓越的性能表現(xiàn)，在電動汽車、新能源發(fā)電與儲能領域的強大技術實力，贏得國內外業(yè)內專家和客戶的一致認可和高度贊譽，為助力和推動新能源汽車行業(yè)蓬勃發(fā)展，作出應有的貢獻。