i20 1200V 200A/300A系列IGBT模塊采用成熟的ST封裝半橋拓撲設計，具有出色的溫度循環能力，將運行結溫提升至175℃顯著提高了產品功率密度，從而拓展了散熱設計的自由度。 該模塊配備的i20精細溝槽柵型IGBT芯片組可實現極高的電流密度，其超低的損耗給模塊帶來了出色的系統可靠性，其對稱環流設計，使得模塊具有更低的寄生參數及開關特性，高度對稱并聯的電路設計，更好的實現了均流特性。

產品型號

• SISD0200ST120i20 _A01

• SISD0300ST120i20 _A01

產品特點

• i20超低損耗精細溝槽柵IGBT芯片組

• 加強 AI2O3絕緣陶瓷基板

• 低熱阻銅底板

• 優化行業標準封裝，顯著降低內部阻抗與接線端溫升

競爭優勢

• 基于多年功率半導體研發經驗優化的國產IGBT與二極管芯片組

• 高魯棒性短路耐受能力，提升系統安全性

• 優化開關特性，降低高頻應用中的功耗

• 支持高功率密度輸出，適用于緊湊型設備設計

• 采用可追溯性管理進行質量控制

應用領域

• UPS

• 工業變頻驅動器

• 電焊機

• 電源

1200V 200A /300A ST封裝半橋IGBT模塊，現已量產。歡迎廣大客戶訪問賽晶亞太半導體公司網站 https://www.swiss-sem.com/，查閱詳情、索取樣品。