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新品發布 | 150V平臺屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET產品
發布時間：2026-01-27
隨著新能源汽車電驅系統與電池管理（BMS）對高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導體技術正面臨新一輪革新。為應對市場對更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，賽晶科技旗下子公司虹安微電子重磅推出首代150V平臺屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET產品 — HAG040TN15。該產品憑借3.2mΩ的超低導通電阻與230A的強大電流能力，成為高端BMS、電驅及DC-DC轉換應用領域的性能標桿。
產品核心參數
關鍵參數 | 規格指標 | 備注/條件 |
技術平臺 | 150V SGT G1 | 全新平臺 |
擊穿電壓 (BVDSS) | 最小值150V | 擊穿電壓典型值可達170V以上 |
導通電阻 (RDS(on)) | 最大值4.0mΩ | 典型值3.2mΩ@ VGS=10V、25℃ |
結-殼熱阻(Rthjc) | 最大值0.26℃/W | 典型值0.21℃/W |
連續漏極電流(ID) | 硅能力極限230A | / |
封裝形式 | TOLL | 優異的散熱與功率密度 |
產品核心特點
1.極致低阻設計
該150V平臺產品采用先進的屏蔽柵溝槽技術，在150V電壓等級下實現了75mΩ*mm2的業界領先比導通電阻能力，3.2mΩ產品對應8寸晶圓顆粒數可達950粒。這意味著在相同電流下的導通損耗大幅減少，直接提升系統整體效率，并降低溫升。
2.采用先進封裝技術
該產品采用TOLL先進封裝，通過優化封裝工藝，結-殼熱阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，先進的封裝技術為產品提供了優異的散熱通道，進而提升器件的功率輸出能力。
3.超強電流承載能力
在25°C殼溫下，連續漏極電流高達230A，脈沖電流能力更達到978A。強大的電流處理能力使其能夠從容應對電驅啟動、BMS主回路開關等場景中的瞬時大電流沖擊，系統可靠性與魯棒性倍增。
4.精準聚焦應用
超低導通電阻使得靜態性能上優勢明顯，而在VCC=120V的母線電壓短路耐量測試中，短路時間可達9μs。這對靜態損耗和通態能力要求嚴苛的BMS（電池管理系統）與電機驅動領域提供性能支持。
產品典型應用
BMS
電機驅動
DC-DC轉換器
同步整流SR
不間斷電源UPS
光伏板MPPT轉換