隨著新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)與電池管理（BMS）對(duì)高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升，功率半導(dǎo)體技術(shù)正面臨新一輪革新。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求，賽晶科技旗下子公司虹安微電子重磅推出首代150V平臺(tái)屏蔽柵溝槽（SGT）MOSFET產(chǎn)品 — HAG040TN15。該產(chǎn)品憑借3.2mΩ的超低導(dǎo)通電阻與230A的強(qiáng)大電流能力，成為高端BMS、電驅(qū)及DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域的性能標(biāo)桿。

產(chǎn)品核心參數(shù)

產(chǎn)品核心特點(diǎn)

1.極致低阻設(shè)計(jì)

該150V平臺(tái)產(chǎn)品采用先進(jìn)的屏蔽柵溝槽技術(shù)，在150V電壓等級(jí)下實(shí)現(xiàn)了75mΩ*mm2的業(yè)界領(lǐng)先比導(dǎo)通電阻能力，3.2mΩ產(chǎn)品對(duì)應(yīng)8寸晶圓顆粒數(shù)可達(dá)950粒。這意味著在相同電流下的導(dǎo)通損耗大幅減少，直接提升系統(tǒng)整體效率，并降低溫升。

2.采用先進(jìn)封裝技術(shù)

該產(chǎn)品采用TOLL先進(jìn)封裝，通過(guò)優(yōu)化封裝工藝，結(jié)-殼熱阻Rthjc典型值低至0.21℃/W，先進(jìn)的封裝技術(shù)為產(chǎn)品提供了優(yōu)異的散熱通道，進(jìn)而提升器件的功率輸出能力。

3.超強(qiáng)電流承載能力

在25°C殼溫下，連續(xù)漏極電流高達(dá)230A，脈沖電流能力更達(dá)到978A。強(qiáng)大的電流處理能力使其能夠從容應(yīng)對(duì)電驅(qū)啟動(dòng)、BMS主回路開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景中的瞬時(shí)大電流沖擊，系統(tǒng)可靠性與魯棒性倍增。

4.精準(zhǔn)聚焦應(yīng)用

超低導(dǎo)通電阻使得靜態(tài)性能上優(yōu)勢(shì)明顯，而在VCC=120V的母線電壓短路耐量測(cè)試中，短路時(shí)間可達(dá)9μs。這對(duì)靜態(tài)損耗和通態(tài)能力要求嚴(yán)苛的BMS（電池管理系統(tǒng)）與電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域提供性能支持。

產(chǎn)品典型應(yīng)用

• BMS

• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

• DC-DC轉(zhuǎn)換器

• 同步整流SR

• 不間斷電源UPS

• 光伏板MPPT轉(zhuǎn)換