2026年4月10日，深圳——在“800VDC數據中心能源變革·儲能與第三代半導體協同發展論壇”上，賽晶亞太半導體研發主管Nick Schneider發表了題為《固態變壓器用2300V SiC MOSFET技術方案》的主題演講，正式發布面向下一代數據中心能源系統的2300V碳化硅功率器件解決方案。

行業背景：AI算力增長驅動數據中心能源架構變革

隨著人工智能技術的快速發展，全球數據中心算力需求呈現指數級增長。據行業統計，AI算力每六個月翻一番，而伴隨而來的能耗問題已成為制約數據中心可持續發展的關鍵瓶頸。傳統數據中心采用400V交流配電架構，依賴低頻變壓器實現電壓變換，存在系統損耗高、設備體積大、功率密度低等固有缺陷，難以滿足GPU集群爆發式增長的供電需求。

在此背景下，800V直流配電架構憑借其更高的輸電效率、更簡化的系統拓撲和更優的功率密度，正逐步成為數據中心能源系統升級的主流方向。固態變壓器（Solid State Transformer, SST）作為實現中壓交流到低壓直流高效變換的核心設備，可在無需傳統低頻變壓器的情況下完成能量轉換，顯著提升系統靈活性、可擴展性和整體能效。

技術方案：2300V SiC MOSFET賦能固態變壓器

賽晶亞太半導體基于成熟的m23技術平臺，開發出適用于固態變壓器應用的2300V SiC MOSFET器件。該產品在電壓等級選擇上實現了技術性能與系統成本的最優平衡：相較于1200V器件，2300V器件可支持兩級拓撲結構，減少50%的子系統數量和系統復雜度；相較于更高電壓等級（如6.5kV）器件，則在成本、導通損耗和商用成熟度方面具有顯著優勢。

核心性能參數

SwissSEM 2300V SiC MOSFET具備優異的靜態和動態特性：在150°C結溫條件下，導通電阻RDS(on)僅為45mΩ，開關損耗控制達到業界領先水平，充分滿足固態變壓器高頻、高功率密度的應用需求。

產品系列：多樣化封裝方案滿足系統級需求

針對不同應用場景和拓撲結構需求，賽晶亞太半導體提供FP型（Easy 2B/3B）和XP型等多種封裝方案，支持單開關、H橋、相臂等多樣化拓撲結構。產品電壓覆蓋650V至3300V全系列，并可提供定制化高隔離電壓（Viso）方案，充分滿足多級串聯系統中對散熱器和絕緣設計的嚴苛要求。

總結與展望

Nick Schneider在演講總結中指出：“2300V SiC MOSFET是目前固態變壓器應用中成本與性能的最佳平衡點。結合創新的封裝技術和系統集成能力，我們將加速下一代高效、緊湊、低成本的固態變壓器技術的商業化進程。”

賽晶亞太半導體將持續深耕第三代半導體功率器件領域，以領先的碳化硅技術推動數據中心能源系統向更高效率、更高功率密度方向演進，為全球數字基礎設施的綠色可持續發展提供核心器件支撐。