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賽晶亞太半導(dǎo)體發(fā)布2300V SiC MOSFET——以創(chuàng)新功率器件技術(shù)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)中心800V直流架構(gòu)變革

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賽晶亞太半導(dǎo)體研發(fā)主管Nick Schneider發(fā)表了題為《固態(tài)變壓器用2300V SiC MOSFET技術(shù)方案》的主題演講

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賽晶IGBT首發(fā)新品正式公布

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